. (1395). مدلسازی دینامیکی منیپولیشن جهت ساخت تجهیزات میکرو/نانو با استفاده از مدل اصطکاکی لاگره. مجله علمی پژوهشی مهندسی ساخت و تولید ایران, 3(2), 45-53.
. "مدلسازی دینامیکی منیپولیشن جهت ساخت تجهیزات میکرو/نانو با استفاده از مدل اصطکاکی لاگره". مجله علمی پژوهشی مهندسی ساخت و تولید ایران, 3, 2, 1395, 45-53.
. (1395). 'مدلسازی دینامیکی منیپولیشن جهت ساخت تجهیزات میکرو/نانو با استفاده از مدل اصطکاکی لاگره', مجله علمی پژوهشی مهندسی ساخت و تولید ایران, 3(2), pp. 45-53.
. مدلسازی دینامیکی منیپولیشن جهت ساخت تجهیزات میکرو/نانو با استفاده از مدل اصطکاکی لاگره. مجله علمی پژوهشی مهندسی ساخت و تولید ایران, 1395; 3(2): 45-53.
مدلسازی دینامیکی منیپولیشن جهت ساخت تجهیزات میکرو/نانو با استفاده از مدل اصطکاکی لاگره
فرایند نانومنیپولیشن با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی، از روشهایی جدید در ساخت و تولید تجهیزات مختلف در مقیاس میکرو/نانو میباشد. این فرایند امروزه بهشدت مورد توجه محققان قرار گرفته است. بهدلیل دقت بسیار بالایی که در ساخت تجهیزات مقیاس میکرو/نانو وجود دارد، مدلسازی دقیق این فرایند تأثیر مهمی بر ساخت این تجهیزات خواهد داشت. همچنین بهدلیل هزینههای بالای استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی در ساخت تجهیزات میکرو/نانو، ضروری است که ابتدا مدلسازی این فرایند بهدقت انجام شده و سپس وارد حوزههای ساخت شد. تاکنون محققین بسیاری به مدلسازی فرایند منیپولیشن پرداختهاند که بیشتر تحقیقات آنها در رابطه با منیپولیشن دوبعدی و استفاده از مدلهای سادهی اصطکاکی صورت گرفته است. ازآنجاکه منیپولیشن واقعی در ساخت تجهیزات میکرو/نانو در محیط سهبعدی صورت میپذیرد و همچنین باتوجه به اینکه با گذر از دنیای ماکرو به محیط میکرو/نانو نیروهای سطحی از جمله اصطکاک نقش مهمی دارند، لذا در این مقاله برای اولین بار از مدل اصطکاکی دقیق لاگره در مدلسازی منیپولیشن سهبعدی استفاده شده است. نتایج به دست آمده حکایت از کاهش نیرو و زمان بحرانی منیپولیشن با استفاده از مدل اصطکاکی لاگره نسبت به مدلهای سادهی اصطکاکی دارند، که این امر باتوجه به اینکه مدل لاگره به سطح واقعی تماس پرداخته، درحالیکه سایر مدلها سطح ظاهری تماس را دربر میگیرند، قابل توجیه است. همچنین مقایسه نتایج سهبعدی به دست آمده با نتایج دوبعدی موجود نشان از افزایش نیرو و زمان بحرانی سهبعدی داشته که باتوجه به افزایش سطح تماس دلیلی بر صحت مدلسازی انجام شده میباشد.